热丝化学气相沉积装备(HWCVD-1000)

■装备用途:热丝化学气相沉积(Hot Wire Chemical Vapor Deposition,简称HWCVD)是一种通过加热金属丝产生高温离化反应气体,形成等离子体来促进化学反应,从而在基片上沉积薄膜的技术。广泛用于集成电路、太阳能电池、化合物半导体器件、聚合物、机械工程、显示器等领域。■技术特点:成膜速度快,特别适合高
产品简介

■ 装备用途:热丝化学气相沉积(Hot Wire Chemical Vapor Deposition,简称HWCVD)是一种通过加热金属丝产生高温离化反应气体,形成等离子体来促进化学反应,从而在基片上沉积薄膜的技术。广泛用于集成电路、太阳能电池、化合物半导体器件、聚合物、机械工程、显示器等领域。

■ 技术特点:

成膜速度快,特别适合高晶化率薄膜,例如微晶硅薄膜的沉积,可在线掺杂,无绕镀、特气耗量低、无需NF3清洗。可有效提高装备稼动率、降低成本较,易于扩大产能。


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